・半導体製造装置組込

・μX線発生源

・μＲＨＥＥＤ

・超精密電子ビーム溶接

・電子線照射試験

創業以来アップデートし続け、研究開発分野はもちろん生産、検査設備においても長年の実績がある、信頼性の高い高輝度高性能電子銃です。

エミッターにLaB６を搭載し、最大１２０Wのビーム出力があり、φ３6μｍからφ30ｍｍまで高い電流密度の電子ビームを照射することが可能です。（大電流バージョン）

ビーム径5μｍバージョンはＷＤ２００ｍｍで１μＡの大電流密度を出力可能なハイパービアンス型で、1ｋＶでも100μｍと非常に絞れております。ＷＤ最大１ｍで使うこともできる平行なビームですのでＲＨＥＥＤにも適しております。

発展型としてこれをベースに半導体製造装置組込バージョン、SEM機能オプション、多段差動排気等、用途に合わせた特注でお客様だけの仕様もおつくりします。

仕様　（大電流バージョン　型式：OME-3040LA）

・ビームエネルギー　　：１ｋeV～３０ｋeV

・ビーム電流　　　　　：１μA～４mA（３０ｋeV）

・ビーム径　　　　　　：φ36μｍ～φ3０ｍｍ

・電流密度　　　　　　：737ｍA/ｃｍ２　（φ36μｍ）

・最大電流密度　　　　：12.7A /ｃｍ２　（φ100μｍ）

仕様　（φ5μｍバージョン　型式：OME-3005LA）

・最小ビーム径　　　　：φ5μｍ（半値幅）

・ビーム電流　　　　　：１μA～１００μA

○収束レンズ、ＸＹ偏向、取付フランジＩＣＦ７０

○差動排気ポートはＩＣＦ７０を標準装備（機能設定は初期選択制）

○取付ステー（ご要望に応じ特注可能）

○オプション

・磁気シールド　・ゲートバルブ　・多段差動排気（特注開発）

・ＰＩＤフィードバック制御　・高速スキャン　・ＳＥＭ機能